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VM=VTn+r(VDD+VTp)1+r,r=−kpkn(5.6)V_M=\frac{V_{Tn}+r(V_{DD}+V_{Tp})}{1+r},r=\sqrt{\frac{-k_p}{k_n}}\tag{5.6}VM=1+rVTn+r(VDD+VTp),r=kn−kp(5.6) 试推导
作者：fgh431
思考题5.1 上面是设速度饱和前提下推导 当P和N为长沟道或电源电压较低时不速度饱和(VM−VT<VDSATV_M-V_T<V_{DSAT}VM−VT<VDSAT) 此时
VM=VTn+r(VDD+VTp)1+r,r=−kpkn(5.6)V_M=\frac{V_{Tn}+r(V_{DD}+V_{Tp})}{1+r},r=\sqrt{\frac{-k_p}{k_n}}\tag{5.6}VM=1+rVTn+r(VDD+VTp),r=kn−kp(5.6) 试推导
设计技术————使噪声容限最大
设计静态CMOS时, 若希望使噪声容限最大并得到对称, 建议使PMOS部分比NMOS部分宽以均衡晶体管的驱动强度 所要求的宽度比见(5.5)。 标签定义摘自另一个源的块引用。dgfdsg dfdfgewwwwweeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeedffdfdffdffdfffsefrgfeee 5 rtrt 5666666666666666666666666666666666666666666666 - gfg - ggf - gfg - gfg
引用区块一
引用区块二
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作者：fgh431
